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  • Linear Integrated Systems Inc. LS26VNS DFN 8L ROHS

    JFET N-CH 40V 10MA 8DFN
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :LS26VNS DFN 8L ROHS
  • Hersteller :Linear Integrated Systems Inc.
  • Dasenic Modell :LS26VNS DFN 8L ROHS-DS
  • Dokument :pdf download LS26VNS DFN 8L ROHS Dokument
  • Beschreibung : JFET N-CH 40V 10MA 8DFN
  • Verpackung :-
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Linear Integrated Systems Inc. LS26VNS DFN 8L ROHS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors
製品ステータス:Active
パッケージ/ケース:8-VFDFN Exposed Pad
パワーマックス:350 mW
動作温度:-55°C ~ 135°C (TJ)
F E Tタイプ:N-Channel
抵抗- R D S(オン):38 Ohms
電流ドレイン( Id)-最大:10 mA
電圧カットオフ( V G Soff)@ Id:6 V @ 1 µA
ドレイン-ソース電圧( Vdss):40 V
電圧破壊( V( B R) G S S):40 V
入力容量( Ciss)(最大)@ Vds:13pF @ 20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Linear Integrated Systems Inc. LS26VNS DFN 8L ROHS
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
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