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Linear Integrated Systems Inc. PAD10DFN 8L

DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN
part number has RoHS
Hersteller Modell :PAD10DFN 8L
Dasenic Modell :PAD10DFN 8L-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
Auf Lager: 3000
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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PAD10DFN 8L Informationen

  • Linear Integrated Systems Inc. PAD10DFN 8L technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:8-VFDFN Exposed Pad
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (2x2)
  • Geschwindigkeit:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Diodentyp:Standard
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):10mA
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.5 V @ 5 mA
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 pA @ 20 V
  • Kapazität @ Vr, F:1.5pF @ 5V, 1MHz
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):30 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PAD10DFN 8L bereitgestellt von Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems wurde 1987 von John H. Hall gegründet. Linear Integrated Systems entwickelt und produziert die leistungsstärksten Halbleiter ihrer Art in der Branche. Unsere Produktlinie umfasst: Ultra-Low-Noise N-Channel und P-Channel Dual und Single JFETs, High Speed Lateral DMOS Switches, Bipolartransistoren, BIFET-Verstärker, Stromregeldioden, Dioden mit geringem Leckstrom, MOSFETs, PhotoFETS und spannungsgesteuerte Widerstände. Linear Integrated Systems verwendet patentierte und proprietäre Prozesse und Designs zur Herstellung seiner leistungsstarken diskreten Halbleiter. Wir arbeiten in drei Fertigungsstätten im Silicon Valley und unsere Komponenten sind weltweit führend in Anwendungen, die von der militärischen Unterwasserüberwachung bis zur größten Weltraumteleskopkamera der Welt reichen. Grammy-prämierte Musiker verlassen sich auf Mikrofone mit unseren Komponenten, und einige der besten Audiogeräte der Welt verlassen sich auf unsere Teile, um diese Musik zu hören. Systeme von Verkehrsflugzeugen bis zu Raumfahrzeugen basieren ihre Sensoren auf unseren Halbleitern. Unsere Design- und Fertigungsanlagen befinden sich im Herzen des kalifornischen Silicon Valley.
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Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

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