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Rochester Electronics FDR8508P
Hersteller Modell :FDR8508P
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :FDR8508P-DS
Dokument : FDR8508P Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
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FDR8508P Informationen
Rochester Electronics FDR8508P technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
- パワー - 最大:800mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SuperSOT™-8
- F E Tタイプ:2 P-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:750pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDR8508P bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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