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Rochester Electronics KSH112GTM
Hersteller Modell :KSH112GTM
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :KSH112GTM-DS
Dokument : KSH112GTM Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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KSH112GTM Informationen
Rochester Electronics KSH112GTM technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- パワー - 最大:1.75 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:D-Pak
- トランジスタタイプ:NPN - Darlington
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):2 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):100 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:3V @ 40mA, 4A
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):20µA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:1000 @ 2A, 3V
- 周波数 - 遷移:25MHz
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KSH112GTM bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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