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Onsemi MC33153P
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
- Hersteller Modell :MC33153P
- Hersteller :Onsemi
- Dasenic Modell :MC33153P-DS
- Dokument :
MC33153P Dokument
- Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
- Verpackung :-
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Onsemi MC33153P technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Eingabetyp:Inverting
Gerätepaket des Lieferanten:8-PDIP
Spannung - Versorgung:11V ~ 20V
Kanaltyp:Single
Angetriebene Konfiguration:Low-Side
Anzahl der Fahrer:1
Tortyp:IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung – V I L, V I H:1.2V, 3.2V
Strom - Spitzenleistung ( Quelle, Senke):1A, 2A
High- Side- Spannung – Max ( Bootstrap):-
Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):17ns, 17ns
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:Vendor is not defined
US-ECCN:Provided as per user requirements
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Onsemi MC33153P
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) wurde 1999 gegründet und konzentriert sich auf die Automobil- und Industrie-Endmärkte. Das Unternehmen beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Onsemi bietet ein vielfältiges Portfolio an Halbleiterprodukten, darunter diskrete Module und Leistungsmodule, Leistungsmanagement, Signalaufbereitung und -steuerung, Sensoren, Motorsteuerung, kundenspezifische Module und ASSP, Schnittstellen, drahtlose Konnektivität, Timing, Logik und Speicher. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Produktportfolio entwickelt onsemi intelligente Leistungs- und Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt lösen und den Weg für eine sicherere, sauberere und intelligentere Welt weisen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Arizona, USA, verfügt über eine robuste Infrastruktur, die ein umfangreiches Netzwerk aus 19 Produktionsstandorten, 43 Designzentren und 8 Lösungsentwicklungszentren umfasst.
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