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Onsemi MMBV2109LT1G
Hersteller Modell :MMBV2109LT1G
Hersteller :Onsemi
Dasenic Modell :MMBV2109LT1G-DS
Dokument : MMBV2109LT1G Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE TUNING SS 30V SOT23
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MMBV2109LT1G Informationen
Onsemi MMBV2109LT1G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Variable Capacitance (Varicaps, Varactors)
- Produktstatus:Obsolete
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3 (TO-236)
- Diodentyp:Single
- Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):30 V
- Kapazität @ Vr, F:36.3pF @ 4V, 1MHz
- Kapazitätsverhältnis:3.2
- Kapazitätsverhältnisbedingung:C2/C30
- Q @ Vr, F:200 @ 4V, 50MHz
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0070
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MMBV2109LT1G bereitgestellt von Onsemi
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) wurde 1999 gegründet und konzentriert sich auf die Automobil- und Industrie-Endmärkte. Das Unternehmen beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Onsemi bietet ein vielfältiges Portfolio an Halbleiterprodukten, darunter diskrete Module und Leistungsmodule, Leistungsmanagement, Signalaufbereitung und -steuerung, Sensoren, Motorsteuerung, kundenspezifische Module und ASSP, Schnittstellen, drahtlose Konnektivität, Timing, Logik und Speicher. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Produktportfolio entwickelt onsemi intelligente Leistungs- und Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt lösen und den Weg für eine sicherere, sauberere und intelligentere Welt weisen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Arizona, USA, verfügt über eine robuste Infrastruktur, die ein umfangreiches Netzwerk aus 19 Produktionsstandorten, 43 Designzentren und 8 Lösungsentwicklungszentren umfasst.
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