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Rochester Electronics SGF23N60UFTU
Hersteller Modell :SGF23N60UFTU
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :SGF23N60UFTU-DS
Dokument : SGF23N60UFTU Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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SGF23N60UFTU Informationen
Rochester Electronics SGF23N60UFTU technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3 Full Pack
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:75 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PF
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):23 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 12A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):92 A
- エネルギーの切り替え:115µJ (on), 135µJ (off)
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:17ns/60ns
- テスト条件:300V, 12A, 23Ohm, 15V
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SGF23N60UFTU bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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