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PN Junction Semiconductor P3D12010G2
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO263-2
Hersteller Modell :P3D12010G2
Hersteller :PN Junction Semiconductor
Dasenic Modell :P3D12010G2-DS
Dokument :
P3D12010G2 Dokument
P3D12010G2 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO263-2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 13.0800 | $ 13.08 |
| 11+ | $ 11.8218 | $ 130.04 |
| 101+ | $ 13.0800 | $ 1321.08 |
| 501+ | $ 8.5020 | $ 4259.5 |
| 1001+ | $ 7.4556 | $ 7463.06 |
Auf Lager: 1789
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P3D12010G2 Informationen
PN Junction Semiconductor P3D12010G2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:TO-263-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):33A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P3D12010G2 bereitgestellt von PN Junction Semiconductor
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
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