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IDT, Integrated Device Technology Inc F0111NBTI8
Hersteller Modell :F0111NBTI8
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :F0111NBTI8-DS
Dokument : F0111NBTI8 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : F0111 DUAL LNA
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F0111NBTI8 Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc F0111NBTI8 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:RF and Wireless/RF Amplifiers
- Produktstatus:Active
- Verpackung/ Koffer:16-WQFN Exposed Pad
- Frequenz:2.2GHz ~ 4.2GHz
- Gewinnen:20.5dB
- P1d B:23dBm
- Spannungsversorgung:4.75V ~ 5.25V
- Stromversorgung:90mA
- R F- Typ:3G/4G/5G
- Rauschzahl:1.05dB
- Testfrequenz:2.5GHz ~ 2.7GHz
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
F0111NBTI8 bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) ist der weltweit führende Anbieter von Mikrocontrollern und ein bevorzugter Anbieter hochentwickelter Halbleiterlösungen. Renesas Electronics entstand im November 2002 durch die Fusion zweier großer japanischer Halbleiterunternehmen: Hitachi Semiconductor und Mitsubishi Electric. Als weltweit führender Anbieter von Mikrocontrollern, Analog-, Leistungs- und SoC-Produkten bietet Renesas umfassende Lösungen für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Automobil-, Industrie-, Heimelektronik-, Büroautomatisierungs- und Informationskommunikationstechnologie. Der globale Hauptsitz des Unternehmens befindet sich in Tokio. Renesas Electronics ist weltweit stark vertreten und verfügt über Niederlassungen, Forschungs- und Entwicklungszentren, Fertigungsanlagen und Vertriebsniederlassungen in Europa, dem Nahen Osten, Asien und Nordamerika.
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