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IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6625AIRZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
Hersteller Modell :ISL6625AIRZ-T
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :ISL6625AIRZ-T-DS
Dokument :
ISL6625AIRZ-T Dokument
ISL6625AIRZ-T DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
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ISL6625AIRZ-T Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6625AIRZ-T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-VFDFN Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (2x2)
- 電圧 - 供給:5.5V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-, 3A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):36 V
- 上昇/下降時間（標準）:31ns, 18ns
- 基本製品番号:ISL6625
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6625AIRZ-T bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、マイクロコントローラの世界的リーダーであり、高度な半導体ソリューションの優先プロバイダーです。ルネサス エレクトロニクスは、2002 年 11 月に日立セミコンダクタと三菱電機の 2 つの日本の大手半導体企業の合併により設立されました。マイクロコントローラ、アナログ、電源、SoC 製品の世界的リーダーとして、ルネサスは自動車、産業、家庭用電化製品、オフィス オートメーション、情報通信技術など、幅広いアプリケーションに包括的なソリューションを提供しています。同社のグローバル本社は東京にあります。ルネサス エレクトロニクスは、ヨーロッパ、中東、アジア、北米にオフィス、研究開発センター、製造施設、販売拠点を持ち、世界的に大きな足跡を残しています。
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