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Rochester Electronics BD809G
TRANS NPN 80V 10A TO220
Hersteller Modell :BD809G
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :BD809G-DS
Dokument :
BD809G Dokument
BD809G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS NPN 80V 10A TO220
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.2070 | $ 2.07 |
| 100+ | $ 0.2070 | $ 20.7 |
| 1000+ | $ 0.0756 | $ 75.6 |
| 10000+ | $ 0.0756 | $ 756 |
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BD809G Informationen
Rochester Electronics BD809G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- パワー - 最大:90 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):10 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):80 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.1V @ 300mA, 3A
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1mA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:15 @ 4A, 2V
- 周波数 - 遷移:1.5MHz
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BD809G bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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