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Rochester Electronics MUN2211T1
Hersteller Modell :MUN2211T1
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :MUN2211T1-DS
Dokument : MUN2211T1 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
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MUN2211T1 Informationen
Rochester Electronics MUN2211T1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- パワー - 最大:338 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-59
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 300µA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:35 @ 5mA, 10V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):10 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):10 kOhms
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MUN2211T1 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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