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ROHM Semiconductor BD2320UEFJ-LAE2
Hersteller Modell :BD2320UEFJ-LAE2
Hersteller :ROHM Semiconductor
Dasenic Modell :BD2320UEFJ-LAE2-DS
Dokument : BD2320UEFJ-LAE2 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 100V VB 3.5A/4.5A PEAK CURRENT H
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BD2320UEFJ-LAE2 Informationen
ROHM Semiconductor BD2320UEFJ-LAE2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HTSOP-J
- 電圧 - 供給:7.5V ~ 14.5V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:1.7V, 1.5V
- 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):3.5A, 4.5A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):100 V
- 上昇/下降時間(標準):8ns, 6ns
- 基本製品番号:BD2320
- パッケージ:Dasenic-Reel®
- パッケージ:Cut Tape (CT)
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BD2320UEFJ-LAE2 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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