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ROHM Semiconductor BR93G76FVJ-3BGTE2

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ROHM Semiconductor BR93G76FVJ-3BGTE2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Technologie:EEPROM
Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP-BJ
Speichergröße:8Kbit
Speichertyp:Non-Volatile
Spannung - Versorgung:1.7V ~ 5.5V
Taktfrequenz:3 MHz
Gedächtnis- Format:EEPROM
Speicherschnittstelle:Microwire
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:5ms
Basisproduktnummer:BR93G76
Speicherorganisation:512 x 16
Verpackung:Tape & Reel (TR)
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.32.0051
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BR93G76FVJ-3BGTE2 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

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Sarah M.

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Mike R.

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