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Rohm Semiconductor BSM400D12P3G002
Hersteller Modell :BSM400D12P3G002
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :BSM400D12P3G002-DS
Dokument : BSM400D12P3G002 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
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BSM400D12P3G002 Informationen
Rohm Semiconductor BSM400D12P3G002 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:1570W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:400A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.6V @ 109.2mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:17000pF @ 10V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSM400D12P3G002 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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