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Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001
Hersteller Modell :BSM600D12P3G001
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :BSM600D12P3G001-DS
Dokument : BSM600D12P3G001 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
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BSM600D12P3G001 Informationen
Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Module
- Leistung – Max:2450W (Tc)
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
- F E T- Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T- Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200V (1.2kV)
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:600A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:5.6V @ 182mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:31000pF @ 10V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSM600D12P3G001 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.
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