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Rohm Semiconductor MP6M12TCR
Hersteller Modell :MP6M12TCR
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :MP6M12TCR-DS
Dokument : MP6M12TCR Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
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MP6M12TCR Informationen
Rohm Semiconductor MP6M12TCR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Obsolete
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:6-SMD, Flat Leads
- Leistung – Max:2W
- Gerätepaket des Lieferanten:MPT6
- F E T- Typ:N and P-Channel
- F E T- Funktion:Logic Level Gate
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):30V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:5A
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:42mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 1mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:4nC @ 5V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:250pF @ 10V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MP6M12TCR bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.
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