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Rohm Semiconductor US6J11TR
Hersteller Modell :US6J11TR
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :US6J11TR-DS
Dokument : US6J11TR Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
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US6J11TR Informationen
Rohm Semiconductor US6J11TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:6-SMD, Flat Leads
- Leistung – Max:320mW
- Gerätepaket des Lieferanten:TUMT6
- F E T- Typ:2 P-Channel (Dual)
- F E T- Funktion:Logic Level Gate
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):12V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:1.3A
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:260mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:1V @ 1mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:290pF @ 6V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.21.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
US6J11TR bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.
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