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Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ

Name: K4F6E3S4HM-MGCJ
Brand: Samsung
SKU: DS-9749433
Price: 7.6833 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

BGA-200 DDR SDRAM

Hersteller Modell :K4F6E3S4HM-MGCJ

Hersteller :Samsung

Dasenic Modell :K4F6E3S4HM-MGCJ-DS

Dokument :

K4F6E3S4HM-MGCJ Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : BGA-200 DDR SDRAM

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13+	$ 7.1874	$ 93.44
20+	$ 6.9399	$ 138.8
28+	$ 6.4440	$ 180.43
37+	$ 6.1965	$ 229.27

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K4F6E3S4HM-MGCJ Informationen

Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
パッケージ/ケース:200-TFBGA
動作温度:-25°C ~ 85°C
電圧供給:1.1V
メモリサイズ:16Gbit
メモリタイプ:Volatile
クロック周波数:1866 MHz
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の整理:512M x 32
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
K4F6E3S4HM-MGCJ,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

K4F6E3S4HM-MGCJ bereitgestellt von Samsung

Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッドステートドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) と NAND フラッシュメモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイルデバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーションプロセッサやイメージセンサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。