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Taiwan Semiconductor BZT52B3V6 RHG

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Taiwan Semiconductor BZT52B3V6 RHG technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Zener - Single
Produktstatus:Active
Toleranz:±2%
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:SOD-123F
Leistung – Max:500 mW
Gerätepaket des Lieferanten:SOD-123F
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1 V @ 10 mA
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:4.5 µA @ 1 V
Spannung – Zener ( Nom) ( Vz):3.6 V
Impedanz ( Max) ( Zzt):90 Ohms
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BZT52B3V6 RHG bereitgestellt von Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor wurde 1979 gegründet und hat sich von seinen Anfängen als lokaler Hersteller zu einem globalen Unternehmen mit 1.500 Mitarbeitern entwickelt. Das Unternehmen wird an der Börse Taiwan gehandelt. Taiwan Semiconductor ist seit mehr als 40 Jahren für seine Kernkompetenz im Bereich diskreter Leistungsgleichrichter bekannt und hat sein Produktportfolio um Trench-Schottkys, MOSFETs, Leistungstransistoren, LED-Treiber-ICs, analoge ICs und ESD-Schutzgeräte erweitert. Jetzt bietet das Unternehmen eine Komplettlösung aus einer Hand. Diese Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen in der Elektronikindustrie eingesetzt, darunter Automobil-, Computer-, Verbraucher-, Industrie-, Telekommunikations- und Photovoltaikanwendungen. Die Produktionsanlagen von Taiwan Semiconductor in China und Taiwan erfüllen alle aktuellen Automobil- und Umweltstandards. Dreizehn weltweite Verkaufsbüros sind vorhanden, um Kunden in Asien, Europa und Amerika bequem bedienen zu können.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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