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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z

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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:SOT-723
Leistung – Max:100 mW
Gerätepaket des Lieferanten:VESM
Transistortyp:PNP
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):400 mA
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):12 V
Vce- Sättigung (max.) bei Ib, Ic:250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.):100nA (ICBO)
D C- Stromverstärkung (h F E) ( Min) @ Ic, Vce:300 @ 10mA, 2V
Frequenz - Übergang:130MHz
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.21.0075
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:Vendor is not defined
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2SA1955FVBTPL3Z bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ist das nordamerikanische Geschäft für elektronische Komponenten von Toshiba. TAEC bietet eine breite Palette an IC- und diskreten Produkten, darunter High-End-Mikrocontroller, ASICs und ASSPs für Automobil-, Multimedia-, Industrie-, Telekommunikations- und Netzwerkanwendungen. Das Unternehmen verfügt außerdem über eine breite Palette an Leistungshalbleiterlösungen sowie Speicherprodukte, darunter Enterprise- und Consumer-HDDs. TAEC wurde 1989 gegründet und bietet Design, Herstellung, Marketing und Vertrieb mit Niederlassungen in den USA und Lateinamerika.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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