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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:3-SMD, Flat Lead
Leistung – Max:900mW
Gerätepaket des Lieferanten:UFM
Transistortyp:NPN
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):100mA
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):5.3V
D C- Stromverstärkung (h F E) ( Min) @ Ic, Vce:200 @ 30mA, 5V
Frequenz - Übergang:11.2GHz
Rauschmaß (d B Typ @ f):1.45dB @ 1GHz
Gewinnen:12.5dB
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MT3S113TU,LF bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ist das nordamerikanische Geschäft für elektronische Komponenten von Toshiba. TAEC bietet eine breite Palette an IC- und diskreten Produkten, darunter High-End-Mikrocontroller, ASICs und ASSPs für Automobil-, Multimedia-, Industrie-, Telekommunikations- und Netzwerkanwendungen. Das Unternehmen verfügt außerdem über eine breite Palette an Leistungshalbleiterlösungen sowie Speicherprodukte, darunter Enterprise- und Consumer-HDDs. TAEC wurde 1989 gegründet und bietet Design, Herstellung, Marketing und Vertrieb mit Niederlassungen in den USA und Lateinamerika.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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