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Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S,LF(D
Hersteller Modell :RN1406S,LF(D
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :RN1406S,LF(D-DS
Dokument : RN1406S,LF(D Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
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RN1406S,LF(D Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S,LF(D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- パワー - 最大:200 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:S-Mini
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:250 MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47 kOhms
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RN1406S,LF(D bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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