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Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE(TE85L,F)
Hersteller Modell :RN1708JE(TE85L,F)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :RN1708JE(TE85L,F)-DS
Dokument : RN1708JE(TE85L,F) Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
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RN1708JE(TE85L,F) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE(TE85L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:SOT-553
- Leistung – Max:100mW
- Gerätepaket des Lieferanten:ESV
- Transistortyp:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):100mA
- Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):50V
- Vce- Sättigung (max.) bei Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- Strom - Kollektorabschaltung (max.):500nA
- D C- Stromverstärkung (h F E) ( Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
- Frequenz - Übergang:250MHz
- Widerstand - Basis ( R1):22kOhms
- Widerstand - Emitterbasis ( R2):47kOhms
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1708JE(TE85L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ist das nordamerikanische Geschäft für elektronische Komponenten von Toshiba. TAEC bietet eine breite Palette an IC- und diskreten Produkten, darunter High-End-Mikrocontroller, ASICs und ASSPs für Automobil-, Multimedia-, Industrie-, Telekommunikations- und Netzwerkanwendungen. Das Unternehmen verfügt außerdem über eine breite Palette an Leistungshalbleiterlösungen sowie Speicherprodukte, darunter Enterprise- und Consumer-HDDs. TAEC wurde 1989 gegründet und bietet Design, Herstellung, Marketing und Vertrieb mit Niederlassungen in den USA und Lateinamerika.
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