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Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Hersteller Modell :RN1964FE(TE85L,F)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :RN1964FE(TE85L,F)-DS
Dokument :
RN1964FE(TE85L,F) Dokument
RN1964FE(TE85L,F) DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.1260 | $ 0.13 |
| 10+ | $ 0.1035 | $ 1.04 |
| 100+ | $ 0.1260 | $ 12.6 |
| 500+ | $ 0.0780 | $ 39 |
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RN1964FE(TE85L,F) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE(TE85L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
- パワー - 最大:100mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
- トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:250MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):47kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RN1964FE(TE85L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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