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Toshiba Semiconductor and Storage RN4990(TE85L,F)

NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE
part number has RoHS
Hersteller Modell :RN4990(TE85L,F)
Dasenic Modell :RN4990(TE85L,F)-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 0.2700$ 0.27
10+$ 0.1665$ 1.67
100+$ 0.1041$ 10.41
500+$ 0.0769$ 38.45
1000+$ 0.0681$ 68.1
Auf Lager: 1590
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.27
Gesamt :$ 0.27
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RN4990(TE85L,F) Informationen

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN4990(TE85L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • パワー - 最大:200mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:US6
  • トランジスタタイプ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
  • Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):100nA (ICBO)
  • D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 1mA, 5V
  • 周波数 - 遷移:250MHz, 200MHz
  • 抵抗器 - ベース ( R1):4.7kOhms
  • 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):-
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN4990(TE85L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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