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Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Hersteller Modell :TK30S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TK30S06K3L(T6L1,NQ-DS
Dokument :
TK30S06K3L(T6L1,NQ Dokument
TK30S06K3L(T6L1,NQ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.5660 | $ 1.57 |
| 10+ | $ 0.9990 | $ 9.99 |
| 25+ | $ 0.8226 | $ 20.57 |
| 100+ | $ 0.6750 | $ 67.5 |
| 250+ | $ 0.6021 | $ 150.53 |
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TK30S06K3L(T6L1,NQ Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L(T6L1,NQ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
- 消費電力（最大）:58W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:18Ohm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1350 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TK30S06K3L(T6L1,NQ bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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