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Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Hersteller Modell :TK62N60W,S1VF
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TK62N60W,S1VF-DS
Dokument :
TK62N60W,S1VF Dokument
TK62N60W,S1VF DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 13.2030 | $ 13.2 |
| 10+ | $ 11.5380 | $ 115.38 |
| 30+ | $ 9.9000 | $ 297 |
| 60+ | $ 8.5770 | $ 514.62 |
| 120+ | $ 8.3610 | $ 1003.32 |
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TK62N60W,S1VF Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W,S1VF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- 消費電力（最大）:400W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Super Junction
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:61.8A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:40mOhm @ 30.9A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.7V @ 3.1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:180 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6500 pF @ 300 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK62N60W,S1VF bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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