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Transphorm TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
- Hersteller Modell :TP65H035WSQA
- Hersteller :Transphorm
- Dasenic Modell :TP65H035WSQA-DS
- Dokument :
TP65H035WSQA Dokument - Beschreibung : GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 20.898Gesamt : $ 20.90
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| 1 + | $ 20.8980 | $ 20.90 |
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Transphorm TP65H035WSQA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-3
Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Verlustleistung (max.):187W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:47.2A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:24 nC @ 10 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1500 pF @ 400 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
Vgs (max.):±20V
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H035WSQA
Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.
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