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Transphorm TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Hersteller Modell :TP65H050G4WS
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP65H050G4WS-DS
Dokument :
TP65H050G4WS Dokument
TP65H050G4WS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 650 V 34 A GAN FET
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 12.6270 | $ 12.63 |
| 30+ | $ 8.1630 | $ 244.89 |
| 510+ | $ 7.6140 | $ 3883.14 |
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TP65H050G4WS Informationen
Transphorm TP65H050G4WS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:119W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:34A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H050G4WS bereitgestellt von Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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