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Transphorm TP65H070LDG

Name: TP65H070LDG
Brand: Transphorm
SKU: TP65H070LDG-DS
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1092

MOQ: 1

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Hersteller Modell :TP65H070LDG
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP65H070LDG-DS
Dokument : TP65H070LDG Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Verpackung :-
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Transphorm TP65H070LDG technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:3-PowerDFN

Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (8x8)

Verlustleistung (max.):96W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:25A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:85mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) ( Max) @ Id:4.8V @ 700µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:9.3 nC @ 10 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:600 pF @ 400 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V

Vgs (max.):±20V

MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

REACH-Status:Vendor is not defined

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TP65H070LDG bereitgestellt von Transphorm

Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.