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Transphorm TP90H180PS

Name: TP90H180PS
Brand: Transphorm
SKU: TP90H180PS-DS
Price: 10.3680 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 65

MOQ: 1

3 Preisstufen

Hersteller Modell :TP90H180PS
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP90H180PS-DS
Dokument : TP90H180PS Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Verpackung :-
Einzelpreis: $10.3680
Gesamt: $10.37

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Transphorm TP90H180PS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Obsolete

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-220-3

Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB

Verlustleistung (max.):78W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):900 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:15A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:205mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) ( Max) @ Id:2.6V @ 500µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:10 nC @ 8 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:780 pF @ 600 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V

Vgs (max.):±18V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

REACH-Status:Vendor is not defined

China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

TP90H180PS bereitgestellt von Transphorm

Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.