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Transphorm TPH3206PD

Name: TPH3206PD
Brand: Transphorm
SKU: TPH3206PD-DS
Price: 22.5200 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1516

MOQ: 1

4 Preisstufen

Hersteller Modell :TPH3206PD
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TPH3206PD-DS
Dokument : TPH3206PD Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Verpackung :-
Einzelpreis: $22.5200
Gesamt: $22.52

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Transphorm TPH3206PD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Not For New Designs

Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-220-3

Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB

Verlustleistung (max.):96W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):600 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:17A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:180mOhm @ 11A, 8V

Vgs(th) ( Max) @ Id:2.6V @ 500µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:9.3 nC @ 4.5 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:760 pF @ 480 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V

Vgs (max.):±18V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

REACH-Status:Vendor is not defined

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TPH3206PD bereitgestellt von Transphorm

Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.