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Transphorm TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Hersteller Modell :TPH3206PD
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TPH3206PD-DS
Dokument :
TPH3206PD Dokument
TPH3206PD DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 19.5600 | $ 19.56 |
| 50+ | $ 11.6456 | $ 582.28 |
| 100+ | $ 19.5600 | $ 1956 |
| 500+ | $ 10.7500 | $ 5375 |
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TPH3206PD Informationen
Transphorm TPH3206PD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
- 消費電力（最大）:96W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:180mOhm @ 11A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.3 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 480 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±18V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPH3206PD bereitgestellt von Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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