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Transphorm TPH3208LDG

Name: TPH3208LDG
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208LDG-DS
Price: 23.4800 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1509

MOQ: 1

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Hersteller Modell :TPH3208LDG
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TPH3208LDG-DS
Dokument : TPH3208LDG Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Verpackung :-
Einzelpreis: $23.4800
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Transphorm TPH3208LDG technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Obsolete

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:3-PowerDFN

Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)

Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (8x8)

Verlustleistung (max.):96W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:20A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:130mOhm @ 13A, 8V

Vgs(th) ( Max) @ Id:2.6V @ 300µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:14 nC @ 8 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:760 pF @ 400 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V

Vgs (max.):±18V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

REACH-Status:Vendor is not defined

China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

TPH3208LDG bereitgestellt von Transphorm

Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.