Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $8.3336
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
Transphorm TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Hersteller Modell :TPH3208PS
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TPH3208PS-DS
Dokument :
TPH3208PS Dokument
TPH3208PS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 8.3336 | $ 8.33 |
| 10+ | $ 7.8619 | $ 78.62 |
| 100+ | $ 7.4169 | $ 741.69 |
| 1000+ | $ 6.6010 | $ 6601 |
Auf Lager: 7412
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 8.3336
Gesamt :$ 8.33
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
TPH3208PS Informationen
Transphorm TPH3208PS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
- 消費電力（最大）:96W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:130mOhm @ 13A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 300µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 8 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±18V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPH3208PS bereitgestellt von Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
