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UnitedSiC UF3C120150K4S

Name: UF3C120150K4S
Brand: UnitedSiC
SKU: UF3C120150K4S-DS
Price: 10.0800 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1934

MOQ: 1

4 Preisstufen

Hersteller Modell :UF3C120150K4S
Hersteller :UnitedSiC
Dasenic Modell :UF3C120150K4S-DS
Dokument : UF3C120150K4S Dokument PDF
Beschreibung : SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Verpackung :-
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Gesamt: $10.08

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1-1	$10.0800	-
2-30	$6.0207	-
31-120	$10.0800	-
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UnitedSiC UF3C120150K4S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-247-4

Technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4

Verlustleistung (max.):166.7W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:18.4A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:180mOhm @ 5A, 12V

Vgs(th) ( Max) @ Id:5.5V @ 10mA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:25.7 nC @ 12 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:738 pF @ 100 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):12V

Vgs (max.):±25V

EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant

MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

UF3C120150K4S bereitgestellt von UnitedSiC

1999 gründete ein kleines Forscherteam der Rutgers University UnitedSiC. 2010 baute UnitedSiC einen Reinraum für die Pilotproduktion in der Nähe von Princeton, New Jersey, um die SiC-Prozesse so weit zu verbessern, dass sie direkt in einer kommerziellen Gießerei installiert werden konnten. Zu diesem Zeitpunkt wurde UnitedSiC ein Fabless-Unternehmen, das seine Ressourcen auf Produktdesign, Forschung und Entwicklung sowie Kundensupport konzentrierte. Am 3. November 2021 gab Qorvo die Übernahme von UnitedSiC bekannt, wodurch UnitedSiC Teil des Geschäftsbereichs Infrastruktur- und Verteidigungsprodukte (IDP) von Qorvo wurde. Die UnitedSiC-Technologie, zusammen mit Qorvos ergänzenden programmierbaren Energiemanagementprodukten und erstklassigen Lieferkettenkapazitäten, wird es UnitedSiC ermöglichen, ein Höchstmaß an Energieeffizienz in den fortschrittlichsten Anwendungen zu liefern. Kunden auf der ganzen Welt verwenden jetzt die FET-, JFET- und Schottky-Diodengeräte von UnitedSiC in neuen Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), AC-DC- und DC-DC-Stromversorgungen, Halbleiterleistungsschaltern, Motorantrieben mit variabler Drehzahl und Solar-PV-Wechselrichtern.