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UnitedSiC UJ3C120070K3S

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  • Hersteller Modell :UJ3C120070K3S
  • Hersteller :UnitedSiC
  • Dasenic Modell :UJ3C120070K3S-DS
  • Dokument : UJ3C120070K3S Dokument PDF
  • Beschreibung : SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
  • Verpackung :-
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UnitedSiC UJ3C120070K3S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-3
Technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Verlustleistung (max.):254.2W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:34.5A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:90mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) ( Max) @ Id:6V @ 10mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:46 nC @ 15 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1500 pF @ 100 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):12V
Vgs (max.):±25V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ3C120070K3S bereitgestellt von UnitedSiC
1999 gründete ein kleines Forscherteam der Rutgers University UnitedSiC. 2010 baute UnitedSiC einen Reinraum für die Pilotproduktion in der Nähe von Princeton, New Jersey, um die SiC-Prozesse so weit zu verbessern, dass sie direkt in einer kommerziellen Gießerei installiert werden konnten. Zu diesem Zeitpunkt wurde UnitedSiC ein Fabless-Unternehmen, das seine Ressourcen auf Produktdesign, Forschung und Entwicklung sowie Kundensupport konzentrierte. Am 3. November 2021 gab Qorvo die Übernahme von UnitedSiC bekannt, wodurch UnitedSiC Teil des Geschäftsbereichs Infrastruktur- und Verteidigungsprodukte (IDP) von Qorvo wurde. Die UnitedSiC-Technologie, zusammen mit Qorvos ergänzenden programmierbaren Energiemanagementprodukten und erstklassigen Lieferkettenkapazitäten, wird es UnitedSiC ermöglichen, ein Höchstmaß an Energieeffizienz in den fortschrittlichsten Anwendungen zu liefern. Kunden auf der ganzen Welt verwenden jetzt die FET-, JFET- und Schottky-Diodengeräte von UnitedSiC in neuen Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), AC-DC- und DC-DC-Stromversorgungen, Halbleiterleistungsschaltern, Motorantrieben mit variabler Drehzahl und Solar-PV-Wechselrichtern.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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