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UnitedSiC UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
Hersteller Modell :UJ3N120035K3S
Hersteller :UnitedSiC
Dasenic Modell :UJ3N120035K3S-DS
Dokument :
UJ3N120035K3S Dokument
UJ3N120035K3S DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 24.5430 | $ 24.54 |
| 25+ | $ 21.3300 | $ 533.25 |
| 100+ | $ 24.5430 | $ 2454.3 |
| 250+ | $ 16.9471 | $ 4236.78 |
| 500+ | $ 16.4363 | $ 8218.15 |
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UJ3N120035K3S Informationen
UnitedSiC UJ3N120035K3S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - JFETs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- パワー - 最大:429 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- F E Tタイプ:N-Channel
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2145pF @ 100V
- 電圧 - ブレークダウン ( V( B R) G S S):1200 V
- 電流 - ドレイン ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):-
- 消費電流 ( Id) - 最大:63 A
- 電圧 - カットオフ（ V G S オフ）@ Id:-
- 抵抗 - R D S(オン):45 mOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ3N120035K3S bereitgestellt von UnitedSiC
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品（IDP）事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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