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UnitedSiC UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Hersteller Modell :UJ4C075033K4S
Hersteller :UnitedSiC
Dasenic Modell :UJ4C075033K4S-DS
Dokument :
UJ4C075033K4S Dokument
UJ4C075033K4S DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 9.3780 | $ 9.38 |
| 25+ | $ 8.1450 | $ 203.63 |
| 100+ | $ 7.0290 | $ 702.9 |
| 250+ | $ 6.2820 | $ 1570.5 |
| 600+ | $ 6.2730 | $ 3763.8 |
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UJ4C075033K4S Informationen
UnitedSiC UJ4C075033K4S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-247-4
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
- Verlustleistung (max.):242W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):750 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:47A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:41mOhm @ 30A, 12V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:6V @ 10mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:37.8 nC @ 15 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1400 pF @ 400 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):12V
- Vgs (max.):±20V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ4C075033K4S bereitgestellt von UnitedSiC
1999 gründete ein kleines Forscherteam der Rutgers University UnitedSiC. 2010 baute UnitedSiC einen Reinraum für die Pilotproduktion in der Nähe von Princeton, New Jersey, um die SiC-Prozesse so weit zu verbessern, dass sie direkt in einer kommerziellen Gießerei installiert werden konnten. Zu diesem Zeitpunkt wurde UnitedSiC ein Fabless-Unternehmen, das seine Ressourcen auf Produktdesign, Forschung und Entwicklung sowie Kundensupport konzentrierte. Am 3. November 2021 gab Qorvo die Übernahme von UnitedSiC bekannt, wodurch UnitedSiC Teil des Geschäftsbereichs Infrastruktur- und Verteidigungsprodukte (IDP) von Qorvo wurde. Die UnitedSiC-Technologie, zusammen mit Qorvos ergänzenden programmierbaren Energiemanagementprodukten und erstklassigen Lieferkettenkapazitäten, wird es UnitedSiC ermöglichen, ein Höchstmaß an Energieeffizienz in den fortschrittlichsten Anwendungen zu liefern. Kunden auf der ganzen Welt verwenden jetzt die FET-, JFET- und Schottky-Diodengeräte von UnitedSiC in neuen Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), AC-DC- und DC-DC-Stromversorgungen, Halbleiterleistungsschaltern, Motorantrieben mit variabler Drehzahl und Solar-PV-Wechselrichtern.
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