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Vishay SIA778DJ-T1-GE3
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- Hersteller Modell :SIA778DJ-T1-GE3
- Hersteller :Vishay
- Dasenic Modell :SIA778DJ-T1-GE3-DS
- Dokument : SIA778DJ-T1-GE3 Dokument PDF
- Beschreibung : MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
- Verpackung :-
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Vishay SIA778DJ-T1-GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Leistung – Max:6.5W, 5W
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SC-70-6 Dual
F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)
F E T- Funktion:Logic Level Gate
Drain- Source- Spannung ( Vdss):12V, 20V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:4.5A, 1.5A
R D S ein (max.) bei I D, V G S:29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) ( Max) @ Id:1V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:15nC @ 8V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:500pF @ 6V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:Vendor is not defined
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SIA778DJ-T1-GE3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.
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Bewertungen und Rezensionen
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
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Satisfied
Mike R.
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