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Vishay SIC652ACD-T1-GE3

Name: SIC652ACD-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIC652ACD-T1-GE3-DS
Price: 5.4200 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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Hersteller Modell :SIC652ACD-T1-GE3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SIC652ACD-T1-GE3-DS
Dokument : SIC652ACD-T1-GE3 Dokument PDF
Beschreibung : 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 5V PWM
Verpackung :-
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Vishay SIC652ACD-T1-GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)

Merkmale:Bootstrap Circuit, Diode Emulation

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:PowerPAK® MLP55-31L

Technologie:Power MOSFET

Schnittstelle:Logic, PWM

Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® MLP55-31L

Spannung - Versorgung:4.5V ~ 5.5V

Strom - Ausgang / Kanal:55A

Strom - Spitzenleistung:100A

Fehlerschutz:Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO

Ausgabekonfiguration:Half Bridge

Lasttyp:Inductive, Capacitive, Resistive

R D S Ein ( Typ):3Ohm LS + HS

Spannung - Last:24V

Anwendungen:General Purpose

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8542.39.0001

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

REACH-Status:REACH is not affected

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

SIC652ACD-T1-GE3 bereitgestellt von Vishay

Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.