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Vishay SIHP33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Hersteller Modell :SIHP33N60E-GE3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SIHP33N60E-GE3-DS
Dokument :
SIHP33N60E-GE3 Dokument
SIHP33N60E-GE3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
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SIHP33N60E-GE3 Informationen
Vishay SIHP33N60E-GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-220-3
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
- Verlustleistung (max.):278W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):600 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:33A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:99mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:150 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:3508 pF @ 100 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
- Vgs (max.):±30V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIHP33N60E-GE3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.
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