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  • WeEn Semiconductors BYR29X-800,127

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :BYR29X-800,127
  • Hersteller :WeEn Semiconductors
  • Dasenic Modell :BYR29X-800,127-DS
  • Dokument :pdf download BYR29X-800,127 Dokument
  • Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
  • Verpackung :-
  • Menge :
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
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WeEn Semiconductors BYR29X-800,127 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220FP
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):8A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 800 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):800 V
逆回復時間 (trr):75 ns
動作温度 - 接合部:150°C (Max)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WeEn Semiconductors BYR29X-800,127
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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