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WeEn Semiconductors WNB2560MQ
Hersteller Modell :WNB2560MQ
Hersteller :WeEn Semiconductors
Dasenic Modell :WNB2560MQ-DS
Dokument : WNB2560MQ Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : WNB2560M/GBJ/STANDARD MARKING *
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WNB2560MQ Informationen
WeEn Semiconductors WNB2560MQ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:GBJS
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):600 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):25 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:920 mV @ 12.5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
- 基本製品番号:WNB2560
- パッケージ:Bulk
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WNB2560MQ bereitgestellt von WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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