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  • WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ

    SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :WNSC2D04650TJ
  • Hersteller :WeEn Semiconductors
  • Dasenic Modell :WNSC2D04650TJ-DS
  • Dokument :pdf download WNSC2D04650TJ Dokument
  • Beschreibung : SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
  • Verpackung :-
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WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Product Status:Active
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:4-VSFN Exposed Pad
Supplier Device Package:5-DFN (8x8)
Speed:No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type:Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified ( Io):4A
Voltage - Forward ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr:20 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F:125pF @ 1V, 1MHz
Voltage - D C Reverse ( Vr) ( Max):650 V
Reverse Recovery Time (trr):0 ns
Operating Temperature - Junction:175°C
EU RoHS Status:RoHS Compliant
MSL Rating:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
US ECCN:EAR99
HTS US:8541.10.0080
REACH Status:REACH is not affected
China RoHS Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ
Registered as a company in 2015, with a heritage of over 50 years in semiconductor development and manufacturing, WeEn Semiconductors Co., Ltd has focused on developing a wide and deep portfolio of industry-leading power products, including Silicon Carbide Power Devices, Silicon Controlled Rectifiers and Triacs, standard and fast recovery Power Diodes, TVS and ESD protection Devices, and IGBTs and modules. All these products are widely used in the markets for telecommunications, computers, consumer electronics, intelligent home appliances, lighting, automotive and power management applications. WeEn has global sales offices in Greater China, Europe, Asia Pacific, and the Americas, we provide customers with reliable and professional technical support in their respective industry segments.
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