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Wolfspeed C3M0065100J-TR
SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
- Hersteller Modell :C3M0065100J-TR
- Hersteller :Wolfspeed
- Dasenic Modell :C3M0065100J-TR-DS
- Dokument :
C3M0065100J-TR Dokument - Beschreibung : SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 20.988Gesamt : $ 20.99
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Wolfspeed C3M0065100J-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
Verlustleistung (max.):113.5W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):1000 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:35A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 5mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:35 nC @ 15 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:660 pF @ 600 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V
Vgs (max.):+15V, -4V
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed C3M0065100J-TR
Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.
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