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Wolfspeed E3M0065090D

Name: E3M0065090D
Brand: Wolfspeed
SKU: E3M0065090D-DS
Price: 25.8900 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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Hersteller Modell :E3M0065090D
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :E3M0065090D-DS
Dokument : E3M0065090D Dokument PDF
Beschreibung : SICFET N-CH 900V 35A TO247-3
Verpackung :-
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Wolfspeed E3M0065090D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Obsolete

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-247-3

Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3

Verlustleistung (max.):125W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):900 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:35A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:84.5mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 5mA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:30.4 nC @ 15 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:660 pF @ 600 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V

Vgs (max.):+18V, -8V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

REACH-Status:Vendor is not defined

China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

E3M0065090D bereitgestellt von Wolfspeed

Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.