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Wolfspeed E3M0075120D

Name: E3M0075120D
Brand: Wolfspeed
SKU: E3M0075120D-DS
Price: 6.4305 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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Hersteller Modell :E3M0075120D
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :E3M0075120D-DS
Dokument : E3M0075120D Dokument PDF
Beschreibung : 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Verpackung :-
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Wolfspeed E3M0075120D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

製品ステータス:Active

動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)

取り付けタイプ:Through Hole

パッケージ/ケース:TO-247-3

テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)

サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3

消費電力（最大）:145W (Tc)

F E Tタイプ:N-Channel

F E T機能:-

ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V

電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:32A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:97.5mOhm @ 17.9A, 15V

Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 5mA

ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:57 nC @ 15 V

入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1480 pF @ 1000 V

駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V

Vgs (最大):+19V, -8V

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.29.0095

EU RoHS ステータス:RoHS Compliant

REACH規則:REACH is not affected

中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

E3M0075120D bereitgestellt von Wolfspeed

Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。