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Ampleon USA Inc. BLF8G24LS-200PNJ
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
Hersteller Modell :BLF8G24LS-200PNJ
Hersteller :Ampleon USA Inc.
Dasenic Modell :BLF8G24LS-200PNJ-DS
Dokument :
BLF8G24LS-200PNJ Dokument
BLF8G24LS-200PNJ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 79.9740 | $ 79.97 |
| 25+ | $ 78.3720 | $ 1959.3 |
| 100+ | $ 75.1770 | $ 7517.7 |
| 500+ | $ 71.9730 | $ 35986.5 |
| 1000+ | $ 67.9770 | $ 67977 |
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BLF8G24LS-200PNJ Informationen
Ampleon USA Inc. BLF8G24LS-200PNJ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Produktstatus:Obsolete
- Nennspannung:65 V
- Verpackung/ Koffer:SOT-539B
- Frequenz:2.3GHz ~ 2.4GHz
- Nennstrom ( Ampere):-
- Gerätepaket des Lieferanten:SOT539B
- Leistung - Ausgang:60W
- Transistortyp:LDMOS (Dual), Common Source
- Gewinnen:17.2dB
- Spannung - Prüfung:28 V
- Rauschzahl:-
- Aktuell - Test:1.74 A
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0075
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BLF8G24LS-200PNJ bereitgestellt von Ampleon USA Inc.
Ampleon wurde 2015 gegründet und ist geprägt von mehr als 50 Jahren Erfahrung als führender Anbieter von RF Power. Das Unternehmen hat die Vision, die Welt durch Innovationen bei Hochfrequenzanwendungen auf Basis der fortschrittlichen GaN- und LDMOS-Technologien zu einem besseren Ort zu machen. Ampleon beschäftigt weltweit mehr als 1.600 Mitarbeiter, die sich dafür einsetzen, dass ihre Kunden mit RF Power-Produkten durch enge Zusammenarbeit und Partnerschaft, Innovation und hervorragende Ausführung erfolgreich sind. Sein innovatives und dennoch konsistentes Portfolio bietet Produkte und Lösungen für 4G LTE- und 5G NR-Infrastruktur sowie für industrielle, wissenschaftliche, medizinische, Rundfunk-, Navigations- und Sicherheitsfunkanwendungen.
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