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  • GeneSiC Semiconductor 1N5829R

    DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :1N5829R
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :1N5829R-DS
  • Dokument :pdf download 1N5829R Dokument
  • Beschreibung : DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 31.98Gesamt : $ 31.98
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
    dhlupsfedex
  • Zahlung :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Auf Lager: 1388
( MOQ : 1 PCS )
PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
MengeEinzelpreisGesamt
125 +$ 31.9800$ 3997.50
250 +$ 30.5200$ 7630.00
500 +$ 29.1600$ 14580.00

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GeneSiC Semiconductor 1N5829R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis, Stud Mount
Verpackung/ Koffer:DO-203AA, DO-4, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:DO-4
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky, Reverse Polarity
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):25A
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:580 mV @ 25 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:2 mA @ 20 V
Kapazität @ Vr, F:-
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):20 V
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor 1N5829R
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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